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    高頻介電常數(shù)測試儀材料有哪些

    更新時(shí)間:2023-09-24      點(diǎn)擊次數(shù):1905

    具有高介電常數(shù)、高介電強(qiáng)度、低介電損耗的聚合物復(fù)合材料是應(yīng)用前景非常廣闊的絕緣材料,這類材料具有均勻電場和儲(chǔ)能的作用,可應(yīng)用于電纜終端,電力絕緣套管、集成電容器以及電機(jī)絕緣中。這類材料對(duì)保證電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行具有舉足輕重的作用。在聚合物中加入高介電常數(shù)的鈦酸鋇(BaTiO3),鈦酸鍶鋇[BST)、鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛(PMN-PT)等無機(jī)粒子以及金屬、碳納米管等導(dǎo)電顆粒是獲得高介電復(fù)合材料的重要手段。這些體系是典型的逾滲體系。對(duì)于這類體系,理解與把握逾滲理論對(duì)于高介電復(fù)合材料的設(shè)計(jì)是極為重要的。逾滲體系的有效介電常數(shù)可表示成:

    image.png 

    其中,ε分別為復(fù)合材料、聚合物的介電常數(shù),為孤立的分散相的體積分?jǐn)?shù),為逾滲閾值,且,pcpcpp<β是臨界值數(shù)。

     

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    根據(jù)方程,具有逾滲行為的復(fù)合材料的介電常數(shù)反比于填充物的實(shí)際填充分?jǐn)?shù)與臨界填充分?jǐn)?shù)(逾滲閾值)之差。因此,要得到高的介電常數(shù)就必須使得填充物的填充分?jǐn)?shù)接近臨界值而又不能高于臨界值。如果填充分?jǐn)?shù)合適,可以得到非常高的介電常數(shù)。然而,具有逾滲行為的復(fù)合材料的介電性能對(duì)材料的組成非常敏感,組成的輕微變化就會(huì)引起材料性能的很大變化。Dang等制備了體積分?jǐn)?shù)為002介電常數(shù)約為300的聚偏二氟乙烯(PVDF/多壁碳納米管(MWNT)復(fù)合材料,結(jié)果發(fā)現(xiàn)這種復(fù)合材料的逾滲閾值為0016(體積分?jǐn)?shù))。Sandler更是制備出了約為00025wt%的環(huán)氧樹脂碳納米管復(fù)合材料。如此低的給材料的生產(chǎn)以及材料性能指標(biāo)的重現(xiàn)性帶來了很大的挑戰(zhàn)。另一方面,聚合物微米復(fù)合材料具有較高的,要想得到高的介電常數(shù),填充物的含量一般都比較高。聚合物在高填充下會(huì)引起介電強(qiáng)度,力學(xué)性能以及加工性能的嚴(yán)重惡化甚至失去使用價(jià)值。相比之下,聚合物納米材料具有較小的,在較低含量下即可以大幅度提高復(fù)合材料的介電常數(shù),這樣可以保證復(fù)合材料的介電強(qiáng)度,力學(xué)強(qiáng)度以及可加工性。Qi等制備了體積分?jǐn)?shù)為223%,介電常數(shù)大于30020℃1KHz)的epoxy/Ag納米復(fù)合材料。

    BaTiO3具有非常高的介電常數(shù),是廣泛使用的一種電介質(zhì)材料。微米級(jí)的BaTiO3顆粒填充的聚合物材料通常具有大的介電常數(shù),已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用。然而,BaTiO3介電常數(shù)與晶粒度具有明顯的依賴關(guān)系[101-103]。實(shí)驗(yàn)表明,當(dāng)粒徑為2050µm時(shí),BaTiO3介電常數(shù)約為1750;當(dāng)粒徑約為11µm時(shí),介電常數(shù)達(dá)到最大值,約為5000。如果晶粒繼續(xù)減小,BaTiO3介電常數(shù)會(huì)迅速下降,如果粒徑小于400nm介電常數(shù)將會(huì)變得非常小。通常將這種變化歸因?yàn)?/span>BaTiO3由四方相轉(zhuǎn)變?yōu)橼I立方相。保持BaTiO3的晶格為四方相被認(rèn)為是獲得高介電常數(shù)BaTiO3的手段。因此,大規(guī)模的合成具有四方相的納米級(jí)BaTiO3顆粒將會(huì)成為納米復(fù)合電介質(zhì)領(lǐng)域研究的一個(gè)重要課題。

     

    對(duì)填充物進(jìn)行適當(dāng)改性或表面處理可以有效提高分散性,進(jìn)而提高復(fù)合材料的使用性能。Zhang等將MWNT進(jìn)行了氟化硅烷接枝,通過溶液聚沉法(coagulation)制備了分散非常均勻的PVDF-TrFE-CFE復(fù)合電介質(zhì)。黨智敏等也發(fā)現(xiàn)化學(xué)氣相沉淀法得到的MWNT在化學(xué)處理前后形成的聚合物基復(fù)合材料具有明顯不同的分散性和介電性能,與MWNT直接填充的PVDF復(fù)合材料相比,用三氟苯接枝的MWNT制得的復(fù)合材料具有更好的分散性和更高的介電常數(shù)。前者的最高介電常數(shù)約為3001000Hz),而后者高達(dá)45001000Hz)。

    image.png 

    一些具有共軛結(jié)構(gòu)的有機(jī)材料也具有非常高的介電常數(shù)。如酞菁銅

    Copper-phthalocyanineo-CuPc)的齊聚物,其結(jié)構(gòu)如圖16所示。電子在電

    場下可以在巨大的共軛軌道內(nèi)運(yùn)動(dòng),使得o-CuPc具有高達(dá)105介電常數(shù)。由于o-CuPc本身難以加工,且具有很大的介電損耗,無法作為電介質(zhì)材料使用。將o-CuPc植入聚合物所制備的復(fù)合材料是一類高介電材料,并且具有較低的介電損耗和易加工性,具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。然而,由于o-CuPc具有平面體系的芳香結(jié)構(gòu),這類齊聚物非常容易形成堆砌組裝體和微凝聚體。聚合物分子之間一般只存在著弱的相互作用,很難將這些組裝體和微凝聚體分散開。Huang[107]等采用聚丙烯酸分離o-CuPc堆砌組裝體和微凝聚體的方法,制備了40nmo-CuPc填充的聚氨脂(PU)復(fù)合材料,在o-CuPc體積含量僅為35%時(shí),復(fù)合材料的介電常數(shù)高達(dá)418620Hz),是PU523倍、PUo-CuPc簡單混合物(16vol%)的167倍。


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